Микросхемы flash-памяти фирмы samsung
Samsung демонстрирует 16-Гбит микросхемы памяти и обещает 256-Гбайт модули в этом году
Samsung Electronics на этой неделе показала модуль памяти объёмом 64 Гбайт на базе микросхем ёмкостью 16 Гбит. Продемонстрированный RDIMM предназначен для серверов общего назначения, но позже в этом году указанные чипы памяти будут использованы для модулей памяти объёмом 128 и 256 Гбайт для серверов непрерывного действия.
Монолитные интегральные схемы памяти DDR4 компании Samsung ёмкостью 16 Гбит рассчитаны на скорость передачи данных 2666 МТрансферов/с при напряжении питания 1,2 Вольта.
Данные микросхемы производятся с использованием «передового» технологического процесса, но Samsung не раскрывает детали о каком именно техпроцессе идёт речь (логично предполагать, что Samsung использует одну из своих технологий класса «10 нанометров»).
Единственное, что мы знаем о новых чипах (помимо ёмкости и скорости), это то, что монолитная архитектура и новый техпроцесс позволяют снизить энергопотребление 64-Гбайт модуля памяти на 20 % по сравнению с аналогичным модулем на базе 8-Гбит микросхем.
Модуль памяти ёмкостью 64 Гбайт на базе микросхем DDR4-2666 объёмом 16 Гбит
Микросхемы памяти ёмкостью 16 Гбит как таковые не являются прорывом. Производители памяти, в том числе Samsung, собирают многослойные DRAM-сборки с использованием TSV-соединений ёмкостью 16–32 Гбит. Типично такие чипы используются для модулей памяти объёмом 64 и 128 Гбайт.
Применение многослойных сборок усложняет организацию подсистем памяти.
Так, современный 64-Гбайт RDIMM представляет собой четырёхранговый модуль (с двумя физическими и двумя логическими рангами), тогда как модуль объёмом 128 Гбайт имеет восемь рангов (два физических, четыре логических).
Сложность архитектуры, а также использование модулей типа LRDIMM (использующих дополнительные буферы) увеличивают задержки модулей памяти, а значит снижают производительность. Например, LRDIMM ёмкостью 64 и 128 Гбайт имеют задержки CL20/CL22 для режимов DDR4-2400/DDR4-2666 соответственно.
Модуль памяти ёмкостью 64 Гбайт на базе микросхем DDR4-2666 объёмом 16 Гбит
Монолитные микросхемы памяти большой ёмкости (16 Гбит в случае с Samsung) позволяют создавать модули и подсистемы оперативной памяти с меньшим количеством чипов, снижая энергопотребление и уменьшая количество рангов в случае с серверами.
Так, демонстрируемый RDIMM ёмкостью 64 Гбайт имеет два ранга, против четырёх в случае с сегодняшними модулями аналогичного объёма.
Чуть позже в этом году Samsung планирует представить 128-Гбайт RDIMM на базе 16-Гбит чипов c четырьмя рангами, а также 256-Гбайт LRDIMM с восемью рангами.
Современные серверы на базе процессоров AMD EPYC и Intel Xeon Scalable M оснащены 12 или 16 разъёмами памяти на процессорное гнездо.
В случае если указанные CPU и платформы способны работать с 16-Гбит микросхемами и 256-Гбайт модулями памяти DDR4, актуальные серверы могут быть экипированы 3–4 Тбайт памяти на процессор.
Подобные объёмы ОЗУ станут огромным преимуществом для различных приложений (например, баз данных), требующих больших объёмов оперативной памяти.
Набор модулей памяти Corsair Dominator Platinum
Если же говорить о клиентских платформах (при условии, что они поддерживают микросхемы ёмкостью 16 Гбит и DIMM на их базе), то новые чипы памяти от Samsung могут позволить разработчикам модулей создавать устройства объёмом 32 Гбайт. Последние позволят производителям ПК и энтузиастам устанавливать 256 Гбайт оперативной памяти в высокопроизводительные настольные ПК и рабочие станции на базе процессоров вроде Intel Core i7/i9.
В Samsung говорят, что микросхемы памяти DDR4 ёмкостью 16 Гбит доступны для клиентов уже сейчас, но, естественно, не раскрывают имена своих партнёров, кто планируют использовать данные чипы.
Компания также не объявляет стоимость новых 64-Гбайт RDIMM, но поскольку эти продукты нацелены на серверы, они будут продаваться по соответствующим ценам. Что касается стоимости модулей объёмом 128 Гбайт и 256 Гбайт, то пока их сложно даже предполагать.
Например, Crucial продает свои 128-Гбайт DDR4 LRDIMM по $4000 (почти 229 тысяч рублей). Учитывая, что будущие модули Samsung обещают предложить больший объём и большую энергоэффективность, их цена будет ожидаемо выше.
Если вы заметили ошибку — выделите ее мышью и нажмите CTRL+ENTER.
Источник: https://3dnews.ru/967386
Новости компьютеров и гаджетов
Новости • 9 Сентября 2018 • Гуля Исляева
Подтвердились слухи о новом гнущемся смартфоне.
Новости • 9 Сентября 2018 • Гуля Исляева
На выставке IFA 2018 был представлен смартфон с процессором технологии 7нм, Kirin 980. Это был Huawei Mate 20 Pro, он набрал более 350 000 очков на AnTuTu, а также процессор был признан как “Лучшее на IFA 2018”, “Инновации”.
Новости • 7 Сентября 2018 • Гуля Исляева
Компания Teclast анонсировала начало продаж своего нового планшета, который заткнет за пояс многих представителей своего сегмента не только ценой, но и начинкой.
Новости • 7 Сентября 2018 • Гуля Исляева
Министр связи Южной Кореи рассказал о планах запуска 5G сетей в Сеуле.
Новости • 20 Июня 2018 • Дмитрий Загорулько
Компания МакЦентр представляет модель ONYX BOOX Note, оснащенную 10,3-дюймовым экраном E Ink Mobius с пластиковой подложкой и двойным сенсорным слоем. Букридер весит всего 325 граммов и имеет…
Новости • 23 Мая 2018 • Хэнк Чумачедший
Razer™, ведущий международный лайфстайл-бренд для геймеров, анонсирует игровой лэптоп Razer Blade с 15.6-дюймовым экраном, оборудованный новейшим процессором от Intel.…
Новости • 16 Мая 2018 • Хэнк Чумачедший
Появившиеся в прошлом году десктопные процессоры AMD Ryzen порадовали геймеров и компьютерных энтузиастов многопоточностью, существенно увеличенной производительностью и возможностями для разгона. Их…
Новости • 27 Апреля 2018 • Хэнк Чумачедший
Друзья, привет!Давно мы не проводили конкурсы и розыгрыши, поэтому сейчас самое время провести один, а может быть и несколько.Сегодня мы анонсируем розыгрыш совместно с компанией Fractal Design, а…
Новости • 4 Апреля 2018 • Дмитрий Загорулько
Компания МакЦентр представляет модель ONYX BOOX MAX 2, являющуюся третьем поколением устройств с удобным 13,3-дюймовым экраном с пластиковой подложкой. Букридер выполнен в металлическом корпусе и…
Новости • 14 Марта 2018 • Хэнк Чумачедший
В то время, как видеокарты и мониторы постоянно улучшаются, отвечая все более высоким требованиям потребителей, игровой звук колонок и наушников продолжает топтаться на месте. Сегодня компания…
Новости • 5 Февраля 2018 • Sannio Sannio
Уже в конце февраля компания Samsung планирует представить новые смартфоны в серии Galaxy S – модели S9 и S9+. Эта линейка существует уже 8 лет – начиная с выпуска первого Galaxy S в 2010…
Новости • 5 Февраля 2018 • Sannio Sannio
Компания G.Skill, известная благодаря выпуску комплектов памяти, анонсировала очередную новинку – комплект памяти Trident Z RGB DDR4-4700, состоящий из двух модулей по 8 ГБ каждый.…
Новости • 31 Декабря 2017 • Sannio Sannio
Дорогие читатели, портал i2hard спешит поздравить вас с Новым годом! Разумеется, где-то его еще только ждут, но в других местах семьи и друзья уже собираются за праздничным столом, поэтому мы решили…
Новости • 22 Декабря 2017 • Sannio Sannio
Компания Huawei, являющаяся одни из лидеров мобильного рынка, как оказалось, готова выпустить конкурента системы TrueDepth от Apple. Уже в следующем флагмане, смартфоне P11, Huawei планирует…
Новости • 19 Декабря 2017 • Sannio Sannio
Компания Toshiba анонсировала новые жесткие диски AL15SE Series для корпоративного сегмента, спроектированные для использования во всех важных системах, требующих круглосуточной работы, к примеру…
Новости • 19 Декабря 2017 • Sannio Sannio
Читайте также: Технология намотки трансформатора преобразователя для электрошокера
Первые AirPods были анонсированы уже более года назад и, несмотря на то, что большинство ожидало появления новой модели еще осенью, Apple «порадовала» фанатов только футляром с поддержкой…
Новости • 18 Декабря 2017 • Sannio Sannio
Ассоциация стандартизации видеоэлектроники Video Electronics Standards Assosiation (VESA) сообщила об окончании работы над стандартом DisplayHDR, определяющего уровень монитора в отображении…
Новости • 17 Декабря 2017 • Sannio Sannio
Как известно, компании Asus и HP представили первые ПК, относящиеся к категории Always Connected PC, работающие на базе однокристальной системы Snapdragon 835 и ОС Windows 10. Кроме того, ожидается,…
Новости • 17 Декабря 2017 • Sannio Sannio
Только в конце ноября курс Bitcoin достиг рекордных 10000 долларов, однако, как оказалось, это далеко не предел – сегодня курс этой криптовалюты впервые превысил 20000 долларов, т.е. вырос…
Новости • 16 Декабря 2017 • Sannio Sannio
Как известно, компания Apple начала принимать предзаказы на новый моноблок iMac Pro, который, как предполагалось, станет заменой уже несколько устаревшего предшественника.Новинка, как обещается в…
Источник: https://i2hard.ru/news/samsung-electronics-ogranichila-ispolzovanie-mikrosxem-flesh-pamyati/
Микросхемы FLASH памяти Samsung Semiconductor
ПодробностиКатегория: Микросхемы памяти Flash
| Old Part Number | New Part Number | Organization | OperatingVoltage,V | Temperature | Package | Production Status | Comments |
| NAND | |||||||
| KM29W040AT | K9F4008W0A | 512K x 8 | 3.0~5.5 | C, I | 44 TSOP2 | Mass Production | |
| KM29W8000T | K9F8008W0M | 1M x 8 | 2.7~5.5 | C, I | 44 TSOP2 | Mass Production | |
| KM29W16000AT | K9F1608W0A | 2M x 8 | 2.7~5.5 | C , I | 44 TSOP2 | Mass Production | |
| KM29W16000BT | K9F1608W0B | 2.7~5.5 | C, I | 44 TSOP2 | Under Development | ||
| KM29W32000AT | K9F3208W0A | 4M x 8 | 2.7~5.5 | C , I | 44 TSOP2 | Mass Production | |
| KM29U64000AT | K9F6408U0A | 8M x 8 | 2.7~3.6 | C , I | 44 TSOP2 | Under Development | |
| KM29U64000T | K9F6408U0M | 2.7~3.6 | C , I | 44 TSOP2 | Mass Production | ||
| KM29U128AT | K9F2808U0A | 16M x 8 | 2.7~3.6 | C , I | 48 TSOP1 | Under Development | |
| KM29U128T | K9F2808U0M | 2.7~3.6 | C , I | 48 TSOP1 | Mass Production | ||
| KM29U256T | K9F5608U0M | 32M x 8 | 2.7~3.6 | C , I | 48 TSOP1 | Under Development | |
| SmartMedia | |||||||
| SMFV002 | K9S1608V0A | 2M x 8 | 3.0~3.6 | 0~55°C | 22 PAD | Mass Production | |
| SMFV002A | K9S1608V0B | 3.0~3.6 | 0~55°C | 22 PAD | Under Development | ||
| SMFV004A | K9S3208V0A | 4M x 8 | 3.0~3.6 | 0~55°C | 22 PAD | Under Development | |
| SMFV004 | – | 3.0~3.6 | 0~55°C | 22 PAD | Mass Production | ||
| SMFV008A | K9S6408V0A | 8M x 8 | 2.7~3.6 | 0~55°C | 22 PAD | Under Development | |
| SMFV008 | K9S6408V0M | 2.7~3.6 | 0~55°C | 22 PAD | Mass Production | ||
| SMFV016A | K9S2808V0A | 16M x 8 | 2.7~3.6 | 0~55°C | 22 PAD | Under Development | |
| SMFV016 | K9S2808V0M | 2.7~3.6 | 0~55°C | 22 PAD | Mass Production | ||
| SMFDV032 | K9D5608V0M | 32M x 8 | 2.7~3.6 | 0~55°C | 22 PAD | Mass Production | Dual Chip |
| SMFV032 | K9S5608V0M | 2.7~3.6 | 0~55°C | 22 PAD | Under Development | ||
| SMFDV064 | K9D1208V0M | 64M x 8 | 2.7~3.6 | 0~55°C | 22 PAD | Under Development | Dual Chip |
Источник: http://radiofanatic.ru/flash-pamyat/97-mikroskhemy-flash-pamyati-samsung-semiconductor.html
Микросхемы памяти FLASH
Вид: Сравнения товаров (0) На странице: Сортировка:
AT29LV010A-15JI FLASH EPROM 1MB, 29LV010, PLCC32 Memory Type: Flash, NOR Memory Size: 1Mbit Memory Configuration: 128K x 8bit Access Time: 150ns Memory Voltage Vcc: 3V Termination Type: SMD Case Style: PLCC No. of Pins: 32 Operating Temperature Rang…
AT29LV010A-15JI FLASH EPROM 1MB, 29LV010, PLCC32 Memory Type: Flash, NOR Memory Size: 1Mbit Memory Configuration: 128K x 8bit Access Time: 150ns Memory Voltage Vcc: 3V Termination Type: SMD Case Styl…
210 р.
доступно: 25
Микросхема памяти 25Q32Производитель EON…
Микросхема памяти 25Q32Производитель EON…
84 р.
доступно: 77
Микросхема памяти 29LV160Производитель EON…
Микросхема памяти 29LV160Производитель EON…
84 р.
доступно: 100
Микросхема памяти 29LV320Производитель EON…
Микросхема памяти 29LV320Производитель EON…
126 р.
доступно: 90
Микросхема памяти 29LV800Производитель EONНапряжение 3,3ВРазмер 524288*16…
Микросхема памяти 29LV800Производитель EONНапряжение 3,3ВРазмер 524288*16…
140 р.
доступно: 70
Микросхема памяти 25L6405Производитель MX 16M-BIT [x 1 / x 2] CMOS SERIAL FLASH…
Микросхема памяти 25L6405Производитель MX 16M-BIT [x 1 / x 2] CMOS SERIAL FLASH…
84 р.
доступно: 12
Микросхема памяти 29AL016Производитель EONНапряжение 3,3ВРазмер 1048576*16 16 MEGABIT CMOS 3.0 VOLT ONLY BOOT SECTOR FLASH MEMORY…
Микросхема памяти 29AL016Производитель EONНапряжение 3,3ВРазмер 1048576*16 16 MEGABIT CMOS 3.0 VOLT ONLY BOOT SECTOR FLASH MEMORY…
140 р.
доступно: 50
Микросхема памяти S29GL128Производитель Spansion IC, MEMORY, FLASH, 128M, 3V, 56TSOP Memory Type: Flash Memory Size: 128MB Memory Configuration: 16M x 8, 8M x 16 Interface Type: CFI Access Time: 100ns Supply Voltage Range: 2.7V to 3.6V Memory Case S…
Микросхема памяти S29GL128Производитель Spansion IC, MEMORY, FLASH, 128M, 3V, 56TSOP Memory Type: Flash Memory Size: 128MB Memory Configuration: 16M x 8, 8M x 16 Interface Type: CFI Access Time: 100n…
280 р.
доступно: 33
Микросхема памяти S29GL512Производитель Spansion IC, SM FLASH 3V 512MB 110NS Memory Type: Flash Memory Size: 512Mbit Memory Configuration: 64M x 8, 32M x 16 Interface Type: CFI Access Time: 110ns Supply Voltage Range: 2.7V to 3.6V Memory Case Style:…
Микросхема памяти S29GL512Производитель Spansion IC, SM FLASH 3V 512MB 110NS Memory Type: Flash Memory Size: 512Mbit Memory Configuration: 64M x 8, 32M x 16 Interface Type: CFI Access Time: 110ns Sup…
1190 р.
доступно: 3
Микросхема памяти 25Q64Производитель Winbond 64M-BIT Serial Flash Memory with 4KB Sectors, Dual and Quad I/O SPI…
Микросхема памяти 25Q64Производитель Winbond 64M-BIT Serial Flash Memory with 4KB Sectors, Dual and Quad I/O SPI…
140 р.
доступно: 79
Источник: http://printer-vostok.ru/radiodetali/mikroshemy-pamyati-flash/
Электроника НТБ
Наш век – век информационных технологий. Информацию получают, обрабатывают, передают. Информацию сохраняют. Сохраняют на века, на годы, на несколько дней и даже на доли микросекунды.
Не последнюю роль в этом процессе играют микросхемы памяти – оперативной (ОЗУ), статической и динамической, синхронной и асинхронной, постоянной (ПЗУ), с возможностью перезаписи, а также флэш-памяти.
Микросхемы памяти выпускают множество фирм, кто-то производит только ОЗУ, кто-то – только ПЗУ и флэш-память. Но есть фирмы, производящие почти все типы микросхем памяти. Лидирует среди них Samsung Electronics.
История Samsung Electronics началась в 1974 году, когда была основана фирма по производству микросхем – Korea Semiconductors. В 1978 году она была переименована в Samsung Semiconductors, основной продукцией которой стали микросхемы динамических ОЗУ (ДОЗУ). В 1985 году объем заказов фирмы превысил 100 млн. долл.
В 1988 году Samsung Semiconductors слилась с Samsung Electronics в одну компанию, принявшую название последней. В 1992 году Samsung Electronics заняла первое место в мире по производству ДОЗУ, а в 1993-м – по производству всех типов микросхем памяти.
Сегодня заводы Samsung Electronics в Южной Корее и США выпускают не только ИС памяти, но и микроконтроллеры, процессоры семейства Alpha, контроллеры ЖК-дисплеев, схемы управления на тонкопленочных полевых транзисторах, микросхемы для систем теле- и радиосвязи, смарт-карты и многое другое.
Обзор всей продукции фирмы займет целую книгу, поэтому ограничимся лишь рассмотрением некоторых типов микросхем памяти.
Если обратиться к удельному весу каждого компонента в общем объеме продаж компании (рис.1), можно заметить, что сегодня самые высокие темпы прироста характерны для ИС статических ОЗУ (СОЗУ) – синхронных и асинхронных (быстрых и с малым энергопотреблением).
В области разработки и производства таких микросхем компания достигла значительных успехов и сегодня лидирует в этом секторе рынка (рис.2). Она выпускает как синхронные, так и асинхронные, быстрые и с малым энергопотреблением ИС СОЗУ.
Напряжение питания последней разработки в области СОЗУ с малым энергопотреблением серии K6F – K6F1616R6A емкостью 16 Мбит – равно всего 1,65–2,2 В при потребляемом токе 3 мА в режиме чтения/записи и менее 1 мкА в режиме хранения. Эта микросхема наверняка найдет применение в новых перспективных разработках портативных систем и систем с батарейным питанием.
Читайте также: Магниторезонансный источник энергии
Сейчас же в таком оборудовании в основном применяются СОЗУ на 5 или 3,3 В. Samsung предлагает широкий выбор микросхем на такое напряжение (табл.1). Параллельно со снижением потребляемой мощности микросхем компания активно ведет работы по уменьшению их габаритов. Постепенно прекращается выпуск микросхем в корпусах DIP-типа.
В нем ещё выпускают 5-В СОЗУ емкостью 128Кх8 и 512Кх8 бит, но остальные микросхемы монтируются в малогабаритные предназначенные для поверхностного монтажа корпуса типов SOP, TSOP1 и TSOP2, а также в различные BGA-корпуса.Для быстрых СОЗУ главный критерий – время доступа. Среди таких микросхем фирмы Samsung наиболее популярно СОЗУ серии K6R с временем доступа 15 нс. Но это уже не предел.
Освоено массовое производство микросхем с временем доступа 10 и даже 8 нс (табл. 2).Очень часто возникает необходимость сохранять данные и после выключения питания. Этому требованию отвечают два типа микросхем памяти – ЭСРПЗУ и флэш. Причем флэш гораздо удобнее, так как не требует специальных программаторов для записи и стирания данных.
Samsung выпускает флэш NAND- и NOR-типов, отличающихся организацией ячейки памяти, способом и временем доступа, способом записи и стирания, удельной стоимостью одного бита информации. Архитектура микросхем флэш-памяти NAND-типа оптимизирована для хранения больших объемов данных (рис.3а).
Для получения большой плотности записи данных 16 соседних ячеек соединяются последовательно без контактных площадок между ними. Такая архитектура обеспечивает не только высокую плотность, но и большие возможности модульного наращивания системы памяти. Эти свойства выводят микросхемы NAND-типа в лидеры по объему памяти.
И действительно, фирмой Samsung освоено массовое производство такой памяти объемом 1 Гбит (128Мх8 бит). А в I–II квартале 2002 года фирма планирует начать выпуск 2-Гбит флэш-памяти, монтируемой в малогабаритный 48-выводной TSOP1 (характеристики миросхем флэш-памяти фирмы приведены в табл.3).Но за всё в этом мире приходится платить, в том числе и за большой объем памяти.
Последовательная организация ячеек позволяет наращивать объем, но исключает произвольный доступ к каждой ячейке. Для устранения этой проблемы предложена микросхема NAND-типа с постраничной организацией, обеспечивающей быстрый последовательный доступ. Объем страницы 528 байт (512+16 байт), время считывания и записи 1 байта данных со страницы и на страницу – 50 нс.
На базе микросхем NAND-типа созданы специальные смарт-карты, названные Smart Media флэш-памятью.Быстрый последовательный доступ и постраничная организация микросхем NAND-типа очень удобны для хранения больших архивов данных, например видеоинформации или оцифрованного звука.
По сравнению с обычными устройствами памяти, например с кассетой для хранения результатов видеонаблюдения или обычным жестким диском, система памяти на основе флэш NAND-типа не имеет движущихся деталей, что особенно важно для систем, работающих в неблагоприятных условиях.
Флэш-память NAND-типа запаивается на плату по технологии поверхностного монтажа и не требует панельки для установки, что исключает угрозу “выпасть из кроватки” в результате сильной вибрации или перегрузок.В отличие от NAND-архитектуры, для флэш-памяти NOR-типа предусмотрен быстрый случайный доступ к каждой ячейке (рис.3б).
Основные производители микросхем этого типа – фирмы AMD и STMicroelectronics. Фирма Samsung, ранее не выпускавшая подобные микросхемы, с ноября 2001 года освоила массовое производство флэш-памяти NOR-типа для 8- и 16-разрядных микроконтроллеров (см. табл. 2). Они не требуют дополнительных 12 В для операции стирания, для всех операций нужно одно напряжение питания.
Можно менять разрядность шины данных (8 или 16 разрядов). Архитектура этих микросхем многобанковая, что позволяет читать один банк и одновременно стирать данные другого. Микросхемы поддерживают универсальный интерфейс флэш-памяти, а встроенный контроллер при отсутствии обращений автоматически переключает память в спящий режим, потребление в котором составляет всего 0,2 мкА.
Фирма для этих микросхем гарантирует 105 циклов программирования/стирания и не менее 10 лет хранения данных. Микросхемы флэш-памяти NOR-типа фирмы Samsung не уступают и даже превосходят по своим параметрам аналогичные микросхемы фирм AMD (AM29LV160D и AM29LV320D) и STMicroelectronics (M29W160D и M29W320D), но значительно дешевле их. Это естественно, ведь Samsung вышла на этот сегмент рынка недавно и стремится завоевать его, что возможно только при меньшей цене и лучшем качестве.Фирма выпускает также и память смешанного типа. В микросхемах MCP-семейства (Multi-Chip Package) на одном чипе расположены СОЗУ и флэш-память – как NAND-, так и NOR-типа (см. табл.3). Эта память создавалась изначально для сотовых телефонов третьего поколения, но с успехом применяется и в других устройствах, имеющих жесткие ограничения по габаритам и потребляемому току.
В коротком обзоре нельзя охватить и подробно описать всю продукцию фирмы Samsung Electronics. Но я надеюсь повысить интерес наших читателей к фирме. Samsung Electronics выходит в лидеры по производству самых разных видов памяти. Постоянно расширяемый спектр ее продукции и низкие, по сравнению с другими производителями, цены, несомненно заслуживают внимания многих разработчиков.
Электроника НТБ. Выпуск #1/2002
Оставить свой отзыв
Необходимо авторизоваться!
Электроника НТБ. Выпуск #1/2002
Источник: http://www.electronics.ru/journal/article/1295
Микросхемы FLASH-памяти фирмы SAMSUNG
В статье описаны микросхемы флэш-памяти объемом 4 Гбита K9K4G08Q0M-YCB0/YIB0, K9K4G16Q0M- YCBO/YIBO, K9K4G08U0M- YCBO/YIBO, K9K4G16U0M-YCB0/YIB0.
Эти микросхемы используются в качестве энергонезависимой памяти в бытовых, промышленных и компьютерных устройствах.
В цифровых видео- и фотокамерах, диктофонах и автоответчиках эти микросхемы используются в качестве памяти для изображения и звука в составе твердотельных флэш-дисков.
Микросхемы флэш-памяти разделяются на группы по напряжению питания и архитектуре (табл. 1). В табл. 2 представлено назначение выводов микросхем флэш-памяти.
Таблица 1
| Обозначение прибора | Напряжение питания (номинальное значение) | Архитектура | Тип корпуса |
| K9K4G08Q0M-Y | 1,70…1,95В(1,8 В) | 512 Мбит х 8 | TS0P1 |
| K9K4G16Q0M-Y | 1,70…1,95 В (1,8 В) | 256 Мбит х 16 | TS0P1 |
| K9K4G08U0M-Y | 2,7…3,6 В (3,3 В) | 512 Мбит х 8 | TS0P1 |
| K9K4G16U0M-Y | 2,7…3,6 В (3,3 В) | 256 Мбит х 16 | TS0P1 |
Таблица 2
| № выводов | Обозначение вывода (тип микросхемы) | Назначение выводов |
| 29-32; 41-44 | I/O(0-7) (K9K4G08X0M-Y) | Ввод/вывод данных. Выводы используются для ввода/вывода адресов ячеек, данных или команд в течение циклов считывания/записи. Когда микросхема не выбрана, или обращение к выводам запрещено, они переводятся в состояние высокого импеданса |
| 26, 28, 30, 32, 40, 42, 44, 46, 27, 29, 31, 33, 41, 43, 45, 47 | I/0(0-15) (K9K4G16X0M-Y) | |
| 16 | CLE | Разрешение фиксации команды. Высокий уровень сигнала на этом выводе переключает мультиплексоры на входах I/O по направлению регистра команд. Запись команды в регистр производится по фронту сигнала WE |
| 17 | ALE | Разрешение фиксации адреса. Высокий уровень сигнала на этом входе переключает мультиплексоры на входах I/O по направлению адресного регистра. Загнись команды в регистр производится по фронту сигнала WE |
| 9 | СЕ | Выбор микросхемы. Низкий уровень на входе разрешает операцию чтения данных, а высокий, при отсутствии каких-либо операций, переводит микросхему в дежурный режим. Во время операций записи/стирания, высокий уровень на этом входе игнорируется |
| 8 | RE | Разрешение чтения. Вход управляет последовательным выводом данных, когда активна передача данных на шину ввода/вывода. Данные действительны после спада сигнала RE и некоторого нормированного времени выборки. Сигнал RE также увеличивает внутренний счетчик адреса столбца на единицу |
| 18 | WE | Разрешение записи. Вход управляет записью в порт ввода/вывода. Команды, адрес и данные фиксируются по фронту импульса WE |
| 19 | WP | Блокировка записи. Выход обеспечивает защиту от случайной записи/стирания во время включения питания. Внутренний генератор программирующего напряжения блокирован, когда на выводе WP активный низкий уровень |
| 7 | R/B | Свободно/занято. Выход R/B указывает состояние микросхемы. Низкий уровень указывает, что выполняется операция записи, стирания или чтения с произвольной выборкой, высокий уровень устанавливается после завершения этих операций. Этот выход с открытым стоком не переходит к состоянию высокого импеданса, когда микросхема не выбрана, или когда выходы заблокированы |
| 38 | PRE | Разрешение чтения при включении питания. Выход PRE управляет операцией авточтения, выполняемой при включении питания. Авточтение при включении питания разрешено, если вывод PRE подключен к выводу VCC |
| 12 | VCC | Напряжение питания |
| 13 | VSS | Общий |
Читайте также: Компания microchip расширила семейство 8-битных pic® микроконтроллеров серии pic16f178x
Микросхемы K9K4GXXX0M имеют емкость 4 Гбита с резервом 128 Мбит (фактическая емкость составляет 4 429 185 024 бита) и архитектуру 512 Мбит х 8 или 256 Мбит х 16 с надежностью до 1 млн. циклов записи/стирания. 8-разрядные микросхемы организованы в 2112 х 8 страниц, а 16-разрядные — в 1056 х 16 столбцов.
Во всех микросхемах есть резервные биты, располагающиеся в 128 строках с адресами 2048-2111 у 8-разрядных микросхем, или в 64 столбцах с адресами 1024-1055 – у 16-разрядных.
Для организации передачи данных в течение операции чтения/записи страницы между ячейками памяти и портами ввода-вывода у этих микросхем имеются последовательно связанные друг с другом регистры данных размером 2112 байт для 8-разрядной, или 1056-словный для – 16-разрядной микросхемы и регистры кэша соответствующего объема.
Массив памяти строится из 32 связанных ячеек, находящихся на разных страницах и объединенных структурой И-НЕ. 32 ячейки, объединяющие 135168 структур 2И-НЕ и расположенные на 64 страницах, составляют блок. Совокупность 8- или 16-разрядных блоков составляет массив памяти.
Операция чтения выполняется постранично, в то время как операция стирания — только поблочно: 2048 отдельно стираемых блоков пс 128 Кбайт (для 8-разрядных микросхем), или блоков по 64 Кслов (для 16-разрядных микросхем). Стирание отдельных битов невозможно.
Запись страницы в микросхемы выполняется за 300 мкс, стирание — за 2 мс на блок (128 Кбайт — для 8-разрядных, или на 64 Кслов — для 16-разрядных микросхем). Байт данных считывается со страницы за 50 нc.
Для записи и контроля данных в микросхемах имеется встроенный контроллер, обеспечивающий весь процесс, включая, если требуется, повторение операций внутренней проверки и разметки данных. У микросхем K9K4GXXX0M реализована система обеспечения проверки информации с исправлением ошибок и выбраковкой ошибочных данных е реальном времени.
Микросхемы имеют 8 или 16 мультиплексных адресов ввода/вывода. Такое решение резко уменьшает число задействованных выводов, и позволяет проводить последующие модернизации устройств, не увеличивая их размеров.
Ввод команд, адреса и данных производится при низком уровне на выводе СЕ по спаду сигнала WE через одни и те же ножки ввода/вывода. Вводимая информация записывается в буферные регистры по фронту сигнала WE.
Сигналы разрешения записи команды (CLE) и разрешения записи адреса (ALE) используются, чтобы мультиплексировать команду и адрес соответственно через одни и те же ножки ввода/вывода.
Таблица 3
| Операция | НЕХ-код 1-го цикла | НЕХ-код 2-го цикла |
| Чтение | 00 | 30 |
| Чтение для перезаписи | 00 | 35 |
| Чтение сигнатуры | 90 | — |
| Сброс | FF | — |
| Запись на страницу | 80 | 10 |
| Запись в кэш | 80 | 15 |
| Перезапись | 85 | 10 |
| Стирание блока | 60 | DO |
| Произвольный ввод данных* | 85 | — |
| Произвольный вывод данных* | 05 | Е0 |
| Чтение статуса | 70 | — |
* Произвольный ввод/вывод данных возможен в пределах одной страницы
В табл. 3 показаны команды управления микросхем. Подача на входы других, не перечисленных в таблице, шестнадцатеричных (HEX) кодов команд, ведет к непредсказуемым последствиям, и поэтому запрещена.
Чтобы повысить скорость записи во время приема больших объемов данных, у встроенного контроллера предусмотрена возможность записи данных в регистры кэш-памяти. При включении питания встроенный контроллер автоматически обеспечивает доступ к массиву памяти, начиная с первой страницы без ввода команды и адреса.
В дополнение к усовершенствованной архитектуре и интерфейсу, контроллер обладает возможностью копирования (перезаписи)содер жимого одной страницы памяти на другую без обращения к внешней буферной памяти.
В этом случае обеспе чивается более высокая скорость переноса данных, чем при обычной работе, так как отнимающий много времени последовательный доступ и циклы ввода данных отсутствуют.
Выбраковка блоков
Блоки памяти в микросхемах K9K4GXXX0M определяются как недопустимые, если содержат один иль более недопустимых битов, однозначность чтения которых не гарантируется. Информация из недопустимых блоков трактуется как «недопустимая информация блока».
Микросхемы с недопустимыми блоками не отличаются по статическим и динамическим характеристикам и имеют тот же самый качественный уровень, как и микросхемы со всеми правильными блоками. Недопустимые блоки не влияют на работу нормальных блоков, потому что они изолировань от разрядной и общей шины питания транзистором выбора.
Система спроектирована таким образом, что у недопустимых блоков блокируются адреса. Соответственно, к некорректным битам попросту нет доступа.
Идентификация недопустимого блока
Содержимое всех ячеек микросхемы (кроме тех, где хранится информация о недопустимых блоках) с адресами FFh для 8-разрядных и FFFFh для 16-разрядных, может быть стерта.
Адреса недопустимых блоков, находящихся в резервной области массива памяти, определяет первый байт для 8-разрядных микросхем или первое слово — для 16-разрядных.
Производитель гарантирует, что или 1-я или 2-я страница каждого блока с адресами недопустимых ячеек имеют в столбцах с адресами 2048 (для 8-разрядных) или 1024 (для 16-разрядных) данные, отличные, соответственно, от FFh или FFFFh.
Так как информация о недопустимых блоках также является стираемой, то в большинстве случаев стирания адресов бракованных блоков их восстановить невозможно. Поэтому в системе должен быть заложен алгоритм, способный создать таблицу недопустимых блоков, защищенную от стирания и основанную на первоначальной информации о бракованных блоках.
После очистки массива-памяти адреса этих блоков снова загружаются из этой таблицы. Любое намеренное стирание первоначальной информации о недопустимых блоках запрещено, так как ведет к некорректной работе системы в целом.
Со временем число недопустимых блоков может возрасти, поэтому необходимо периодически проверять фактическую емкость памяти, сверяя адреса забракованных блоков с данными из резервной таблицы недопустимых блоков.
Для систем, где необходима высокая отказоустойчивость, лучше всего предусмотреть возможность поблочного переписывания массива памяти со сравнением результатов с фактическими данными, оперативно выявляя и заменяя блоки некорректной информации.
Данные из выявленного недопустимого блока переносятся в другой, нормальный пустой блок, не затрагивая соседние блоки массива и используя встроенный буфер, размер которого соответствует размеру блока. Для этого и предусмотрены команды для поблочной перезаписи.
Источник: http://cxem.net/sprav/sprav76.php
Спасибо за чтение!